產(chǎn)品名稱(chēng)：維修 AMPTEK硅漂移探測(cè)器FAST SDD
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2025-10-27
產(chǎn)品特點(diǎn)：維修 AMPTEK硅漂移探測(cè)器FAST SDD將硅片制造引入內(nèi)部，并改進(jìn)了工藝。其結(jié)果是探測(cè)器具有更低的噪聲、更低的泄漏電流、更好的電荷收集以及探測(cè)器之間的均勻性。這使其成為性能更好的硅漂移探測(cè)器。
產(chǎn)品詳細(xì)資料：
維修 AMPTEK硅漂移探測(cè)器FAST SDD：性能特點(diǎn)：
• 25 mm2的活動(dòng)面積校準(zhǔn)為17 mm2
• 也可提供70 mm2準(zhǔn)直至50 mm2
• 9 keV時(shí)的122 eV FWHM分辨率
• 計(jì)數(shù)率>1000000 CPS
• 高峰值與背景比–26000/1
• 前置放大器輸出上升時(shí)間<35 ns
• 窗口：Be（5密耳）12.5µm，或C系列（Si3N4）
• 抗輻射
• 探測(cè)器厚度500µm
• TO-8包裝
• 冷卻ΔT>85 K
• 多層準(zhǔn)直器
技術(shù)參數(shù)：
• 探測(cè)器類(lèi)型：帶CMOS前置放大器的硅漂移檢測(cè)器（SDD）
• 探測(cè)器尺寸：25 mm2-校準(zhǔn)至17 mm2，也可提供70mm2-準(zhǔn)直至50mm2
• 硅厚度：500µm或1000um可用
• 準(zhǔn)直器內(nèi)部：多層準(zhǔn)直器（ML）
• 4µs峰值時(shí)間下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM時(shí)的能量分辨率（保證）
• 峰值與背景：20000:1（計(jì)數(shù)比從5.9 keV到1 keV）（典型）
• 探測(cè)器窗口選項(xiàng)：鈹（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm），C系列（Si3N4）低能耗窗戶(hù)
• 電荷敏感型前置放大器：CMOS
• 增益穩(wěn)定性：<20 ppm/°C（典型）
• 總功率：<2瓦
• 設(shè)備壽命：通常為5至10年，具體取決于使用情況
• 操作條件：-35°C至+80°C
• 長(zhǎng)期儲(chǔ)存：在干燥環(huán)境中儲(chǔ)存10年以上
• 典型儲(chǔ)存和運(yùn)輸：-40°C至+85°C，濕度10至90%，不凝結(jié)
• 產(chǎn)地：美國(guó)
-尺寸
• 探測(cè)器模塊：TO-8封裝（0.640英寸高，包括銷(xiāo)，0.600英寸直徑）
• XR100盒：3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）
• X-123箱：3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）
• 原始設(shè)備制造商：配置各不相同
-重量
• 探測(cè)器模塊：0.14箱（4.1克）
• XR100盒：4.4盎司（125克）
• X-123箱：6.3盎司（180克）
• 原始設(shè)備制造商：配置各不相同
維修 AMPTEK硅漂移探測(cè)器FAST SDD下圖顯示使用標(biāo)準(zhǔn)0.5mmFASTSDD和新的1.0mmFASTSDD測(cè)試多元素樣品譜圖。15keV以上能量，更厚的探頭能量響應(yīng)效率更高，10keV以下所有的能量效率和分辨率相同。
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